对比图
型号 AUIRF2804L IRF2804L IRF1324LPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。TO-262 N-CH 40V 280ATO-262 N-CH 24V 340A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-262-3 TO-262 TO-262-3
额定功率 300 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0018 Ω - 1.65 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 300 W 330 W 300 W
阈值电压 2 V - -
漏源极电压(Vds) 40 V 40.0 V 24 V
连续漏极电流(Ids) 270A 75.0 A 340A
输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds) 7590pF @24V(Vds)
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 330000 mW 300W (Tc)
额定电压(DC) - 40.0 V -
额定电流 - 75.0 A -
产品系列 - IRF2804L -
漏源击穿电压 - 40.0V (min) 24 V
上升时间 - 120 ns -
下降时间 - 130 ns -
通道数 - - 1
额定功率(Max) - - 300 W
长度 10.67 mm - 10.2 mm
宽度 4.83 mm - 4.5 mm
高度 11.3 mm - 9.45 mm
封装 TO-262-3 TO-262 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -