2N3442G和JANTX2N5302

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3442G JANTX2N5302 2N3442

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N3442G  单晶体管 双极, NPN, 140 V, 80 kHz, 117 W, 10 A, 7.5 hFE 新NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR大功率晶体管产业 High−Power Industrial Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-204-2 TO-3 TO-204-2

引脚数 2 3 -

额定电压(DC) 140 V - 140 V

额定电流 10.0 A - 10.0 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 117 W 5 W 117 W

击穿电压(集电极-发射极) 140 V 60 V 140 V

集电极最大允许电流 10A 30A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 15 @15A, 2V 20

最大电流放大倍数(hFE) 70 - 70

额定功率(Max) 117 W 5 W 117 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

频率 800 kHz - -

针脚数 2 - -

热阻 1.17℃/W (RθJC) - -

直流电流增益(hFE) 70 - -

耗散功率(Max) 117000 mW 5000 mW -

长度 39.37 mm - 39.37 mm

宽度 26.67 mm - 26.67 mm

高度 8.51 mm - 8.51 mm

封装 TO-204-2 TO-3 TO-204-2

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tube

最小包装 - - 100

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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