AUIRFZ48ZS和AUIRFZ48ZSTRR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRFZ48ZS AUIRFZ48ZSTRR IRFZ48ZS

描述 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3D2PAK N-CH 55V 61AD2PAK N-CH 55V 61A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 91 W - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 91000 mW 91 W 91W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 61A 61A 61A

上升时间 69 ns 69 ns -

输入电容(Ciss) 1720pF @25V(Vds) - 1720pF @25V(Vds)

下降时间 39 ns 39 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 91W (Tc) - 91W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.4 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

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