FCU7N60和FCU7N60TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCU7N60 FCU7N60TU FCI7N60

描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道 600V 7AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCI7N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 IPAK TO-220-3 TO-262-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7A 7.00 A 7.00 A

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 7.00 A 7.00 A

通道数 - 1 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 530 mΩ 0.53 Ω

耗散功率 - 83 W 83 W

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

上升时间 - 55 ns 55 ns

输入电容(Ciss) - 920pF @25V(Vds) 920pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 83 W 83 W

下降时间 - 32 ns 32 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 83W (Tc) 83W (Tc)

输入电容 - 920 pF -

栅电荷 - 30.0 nC -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

封装 IPAK TO-220-3 TO-262-3

长度 - 10.67 mm 10.29 mm

宽度 - 4.7 mm 4.83 mm

高度 - 16.3 mm 9.2 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司