IRFP054和IRFP054PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP054 IRFP054PBF IRFP054NPBF

描述 MOSFET N-CH 60V 70A TO-247ACTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3Pin(3+Tab) TO-247ACN 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

耗散功率 230W (Tc) 230W (Tc) 130 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 230W (Tc) 230W (Tc) 170W (Tc)

额定功率 - - 130 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.012 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 2900 pF

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) - - 81A

上升时间 - - 66 ns

额定功率(Max) - - 170 W

下降时间 - - 46 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 15.9 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 20.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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