CY7C1009B-12VXC和IS61C1024AL-12JLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1009B-12VXC IS61C1024AL-12JLI CY7C1009BN-12VC

描述 SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJRAM,ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM,其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用,如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源:1.8V/3.3V/5V 提供的封装:BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择:x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM(静态随机存取存储器)128K ×8静态RAM 128K x 8 Static RAM

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ

引脚数 32 32 -

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ

长度 - 21.08 mm -

宽度 - 7.75 mm -

高度 - 2.67 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

电源电压(DC) - 1.80 V, 5.50 V (max) -

工作电压 - 5 V -

供电电流 - 40 mA -

位数 8 8 -

存取时间 12.0 ns 12 ns -

内存容量 1000000 B 125000 B -

存取时间(Max) 12 ns 12 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V -

时钟频率 12.0 GHz - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

ECCN代码 3A991.b.2.b EAR99 -

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