2N3792和JAN2N3792

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3792 JAN2N3792

描述 PNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTORPNP大功率硅晶体管 PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-3 TO-3

耗散功率 5 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 5000 mW 5000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 80 V

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @3A, 2V

额定功率(Max) - 5 W

封装 TO-3 TO-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

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