对比图
型号 IS42S32200C1-7TL IS42S32200E-6TL MT48LC2M32B2P-7:G
描述 IC SDRAM 64Mbit 143MHz 86TSOPRAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5ns, 86Pin Plastic SMT
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)
分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片
引脚数 86 86 86
封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
位数 32 - 32
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 3.15V ~ 3.45V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
频率 - 166 MHz -
供电电流 180 mA 160 mA -
存取时间 7.00 ns 5.5 ns -
电源电压(Max) - 3.6 V -
电源电压(Min) - 3 V -
电源电压(DC) 3.30 V, 3.45 V (max) - -
时钟频率 143MHz (max) - -
内存容量 64000000 B - -
存取时间(Max) 8ns, 5.5ns - -
封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86
长度 - 22.42 mm -
宽度 - 10.29 mm -
高度 - 1.05 mm -
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Design Unknown
包装方式 Tray Tube Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅