JAN1N2982B和NTE5194AK

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N2982B NTE5194AK 1N2982B

描述 10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODESDO-4 18V 10WSilicon Zener Diode

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Central Semiconductor

分类 齐纳二极管分立器件

基础参数对比

封装 DO-4 DO-4 DO-4

引脚数 2 - -

封装 DO-4 DO-4 DO-4

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray - -

容差 ±5 % - -

正向电压 1.5V @2A - -

耗散功率 10 W 10 W -

测试电流 140 mA - -

稳压值 18 V 18 V -

额定功率(Max) 10 W - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead - -

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