IXTV5N50P和UF830L-TN3-R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTV5N50P UF830L-TN3-R STP5NK52ZD

描述 N-CH 500V 4.8AUF830L-TN3-R 编带N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor UTC (友顺) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-252-2 TO-220-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - - 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 520 V

连续漏极电流(Ids) 4.8A 4.5A 4.4A

上升时间 - - 13.6 ns

输入电容(Ciss) - - 529pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 70 W

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 25W (Tc)

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 15.75 mm

封装 - TO-252-2 TO-220-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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