K6T4008C1B-GB55和R1LP0408CSP-5SI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K6T4008C1B-GB55 R1LP0408CSP-5SI K6T4008C1C-GB55

描述 SRAM Chip Async Single 5V 4M-bit 512K x 8 55ns 32Pin SOP宽温度范围版本4M SRAM ( 512千字× 8位) Wide Temperature Range Version 4M SRAM (512-kword × 8-bit)4Mbit SRAM 55ns 32-SOP - K6T4008C1C-GB55

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Renesas Electronics (瑞萨电子) Samsung (三星)

分类 RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 32 -

封装 SOP SOP SOP

电源电压(DC) - 4.50V (min) -

工作电压 - 5 V -

位数 - 8 -

存取时间 - 55 ns -

内存容量 - 500000 B -

存取时间(Max) - 55 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 5 V -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

高度 - 2.75 mm -

封装 SOP SOP SOP

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Each -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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