JAN2N3700和JANS2N3735

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N3700 JANS2N3735 JANTX2N3700

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-39Trans GP BJT NPN 80V 1A 3Pin TO-18 Box

数据手册 ---

制造商 Raytheon (雷神) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-39 TO-18-3

耗散功率 - 1 W 0.5 W

工作温度(Max) - 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) - 1000 mW 500 mW

频率 - - 400 MHz

极性 - - NPN

最小电流放大倍数(hFE) - - 50

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

封装 - TO-39 TO-18-3

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tray Box

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

军工级 - - Yes

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台