PIC18F1220-I/P和PIC18F1220-E/P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F1220-I/P PIC18F1220-E/P PIC18F1220-I/SO

描述 PIC18F1220/1320 8 位微控制器### PIC18 微控制器MICROCHIP  PIC18F1220-E/P  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F1xxx, 40 MHz, 4 KB, 256 Byte, 18 引脚, DIPMICROCHIP  PIC18F1220-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F1xxx, 40 MHz, 4 KB, 256 Byte, 18 引脚, SOIC

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器8位微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 18 18 18

封装 DIP-18 PDIP-18 SOIC-18

频率 40 MHz - 40 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.2V ~ 5V - 4.2V ~ 5V

针脚数 18 18 18

时钟频率 40 MHz 40.0 MHz 40.0 MHz

RAM大小 256 B 256 b 256 B

位数 8 8 8

FLASH内存容量 4096 B 4 KB 4 KB

I/O引脚数 16 16 16

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

内存容量 2000 B - 2000 B

内核子架构 PIC18 - PIC18

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 16 Input 16 Input 16 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 4.2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.2 V 4.2 V 4.2 V

耗散功率 - 1000 mW -

长度 23.37 mm 22.86 mm 11.55 mm

宽度 0.28 in 6.35 mm 7.5 mm

高度 4.95 mm 3.3 mm 2.35 mm

封装 DIP-18 PDIP-18 SOIC-18

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 3A991.a.2 EAR99

HTS代码 8542310001 - 8542310001

香港进出口证 NLR - -

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