IRL1004S和IRL1004SPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL1004S IRL1004SPBF IRL1004STRRPBF

描述 D2PAK N-CH 40V 130AINFINEON  IRL1004SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 VD2PAK N-CH 40V 130A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.1 W 3.8W (Ta), 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 130A 130A 130A

输入电容(Ciss) 5330pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds) 5330pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

额定功率 - 150 W 150 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0065 Ω -

阈值电压 - 1 V -

漏源击穿电压 - 40 V -

上升时间 - 210 ns 210 ns

下降时间 - 14 ns 14 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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