对比图
型号 IXFA3N120 IXTH3N120 IXFP3N120
描述 IXFA Series 1200V 4.5Ω SMT N-Channel HiPerFET Power Mosfet - TO-263-3Trans MOSFET N-CH 1.2kV 3A 3Pin(3+Tab) TO-247IXYS SEMICONDUCTOR IXFP3N120 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 120 V, 4.5 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 4.5 Ω 4.5 Ω
极性 - - N-Channel
耗散功率 200 W 150 W 200 W
阈值电压 - 4.5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 120 V
连续漏极电流(Ids) - - 3.00 A
上升时间 15 ns 15 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1050 pF 1300pF @25V(Vds) 1050pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 200 W
下降时间 18 ns 18 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 - 1200 V -
封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3
宽度 9.2 mm 5.3 mm -
长度 - 16.26 mm -
高度 - 21.46 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15