对比图
描述 ROHM R6024KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新VISHAY SIHB23N60E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V
数据手册 --
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 中高压MOS管中高压MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.132 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 245 W 227 W
阈值电压 5 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 24A -
上升时间 50 ns -
输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) -
下降时间 12 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 245W (Tc) -
封装 TO-263-3 TO-263
产品生命周期 Active -
包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk
最小包装 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -