对比图
型号 FCD380N60E NDD60N360U1T4G
描述 FCD380N60E 编带600V,11A,360mOhm,单N通道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
无卤素状态 - Halogen Free
耗散功率 106 W 114 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
上升时间 9 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds)
下降时间 10 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 106000 mW 114W (Tc)
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.32 Ω -
阈值电压 3.5 V -
额定功率(Max) 106 W -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free