对比图
型号 K4H561638F-TCCC K4H561638H-UCCC IS43R16160B-5TL
描述 DRAM Chip DDR SDRAM 256M-Bit 16Mx16 2.5V 66Pin TSOP-II256Mbit DDR SDRAM 200MHz 66-TSOP - K4H561638H-UCCC256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66Pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据手册 ---
制造商 Samsung (三星) Samsung (三星) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
封装 TSOP TSOP TSOP-66
电源电压 2.5 V 2.6 V 2.5 V
时钟频率 - 200 MHz -
存取时间 - - 5 ns
工作温度(Max) - - 70 ℃
工作温度(Min) - - 0 ℃
电源电压(Max) - - 2.7 V
电源电压(Min) - - 2.3 V
封装 TSOP TSOP TSOP-66
长度 - - 22.42 mm
宽度 - - 10.29 mm
高度 - - 1.05 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ - -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 Tray - Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - PB free Lead Free