对比图
型号 CY7C1263KV18-550BZI CY7C1263KV18-550BZXC
描述 36 - Mbit的QDR ？ II + SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)36 - Mbit的QDR ？ II + SRAM 4字突发架构（ 2.0周期读延迟） 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 165
封装 LBGA-165 FBGA-165
供电电流 - 850 mA
时钟频率 - 550 MHz
位数 - 18
存取时间 - 0.45 ns
存取时间(Max) - 0.45 ns
工作温度(Max) - 70 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
封装 LBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅
ECCN代码 - 3A991