对比图
型号 NAND01GW3B2BN6 TC58DVG02A1FT00 NAND01GW3B2BN6F
描述 1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash MemorySLC NAND Flash Serial 3.3V 1G-bit 128M x 8 48Pin TSOP1千兆， 2千兆， 2112字节/ 1056字页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类
安装方式 - - Surface Mount
封装 TSOP1 TSOP1 TSOP-48
工作温度(Max) - - 85 ℃
工作温度(Min) - - 40 ℃
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 2.7 V
封装 TSOP1 TSOP1 TSOP-48
工作温度 - - 40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free