2SK3663和DMN2004WK-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SK3663 DMN2004WK-7

描述 2SK3663 N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-323/SC-70 marking/标记 G26 低导通电阻DMN2004WK-7 编带

数据手册 --

制造商 NEC (日本电气) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-323 SOT-323-3

额定电压(DC) - 20.0 V

额定电流 - 540 mA

通道数 - 1

极性 - N-CH

耗散功率 - 0.2 W

输入电容 - 150 pF

漏源极电压(Vds) - 20 V

连续漏极电流(Ids) - 540 mA

输入电容(Ciss) - 150pF @16V(Vds)

额定功率(Max) - 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 200mW (Ta)

宽度 - 1.3 mm

封装 SOT-323 SOT-323-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99

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