CD4023BE和CD4023BM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CD4023BE CD4023BM HEF4023BP

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CD4023BE  芯片, 4000系列 CMOS逻辑器件TEXAS INSTRUMENTS  CD4023BM  与非门, 3门, 3输入, 6.8 mA, 3V至18V, SOIC-14NXP  HEF4023BP  与非门, HEF4000系列, 3门, 3输入, 2.4 mA, 4.5V至15.5V, DIP-14

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) NXP (恩智浦)

分类 逻辑芯片逻辑芯片逻辑芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 14 14 14

封装 DIP-14 SOIC-14 DIP

电源电压(DC) 3.00V ~ 18.0V 3.00V ~ 18.0V 4.50V (min)

输出电流 6.8 mA 6.8 mA 2.4 mA

针脚数 14 14 14

逻辑门个数 3 3 3

输入数 3 3 3

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 18 V 18 V 15.5 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 4.5 V

工作电压 3V ~ 18V - -

输出接口数 1 1 -

电路数 3 3 -

通道数 3 3 -

位数 3 3 -

传送延迟时间 200 ns 200 ns -

电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V -

耗散功率 500 mW 500 mW -

静态电流 20.0 nA - -

输入电容 5.00 pF - -

输出电流驱动 -1.00 mA -1.00 mA -

电源电压 3V ~ 18V 3V ~ 18V -

长度 19.3 mm 8.65 mm 19.5 mm

宽度 6.35 mm 3.91 mm 6.48 mm

高度 4.57 mm 1.58 mm 3.2 mm

封装 DIP-14 SOIC-14 DIP

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2011/12/19 2015/06/15 2015/12/17

军工级 - Yes -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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