MURTA200120和RM100CZ-24

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MURTA200120 RM100CZ-24 SKMD105F12

描述 Diode Gen 1.2kV 100A 3 Tower高压中功率一般使用绝缘型 HIGH VOLTAGE MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPEFast Diode Modules

数据手册 ---

制造商 GeneSiC Semiconductor Mitsubishi (三菱) Semikron (赛米控)

分类 功率二极管

基础参数对比

引脚数 - - 3

封装 - - CASE A 33

安装方式 Chassis - -

反向恢复时间 - - 1890 ns

正向电流(Max) - - 102 A

工作温度(Max) - - 130 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

正向电压 2.6V @100A - -

封装 - - CASE A 33

产品生命周期 Active Not Recommended Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

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