71V35761S200BG8和71V35761SA200BG8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V35761S200BG8 71V35761SA200BG8

描述 IC SRAM 4.5Mbit 200MHz 119BGA静态随机存取存储器 4M 3.3V I/O PBSRM FAST X3

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 119 119

封装 PBGA-119 PBGA-119

安装方式 - Surface Mount

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 - 3.1 ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

长度 14.0 mm 14 mm

宽度 22.0 mm 22 mm

封装 PBGA-119 PBGA-119

厚度 2.15 mm 2.15 mm

高度 - 2.15 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

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