BLP25M710Z和BLP7G22-10Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLP25M710Z BLP7G22-10Z

描述 RF Power Transistor, HF to 2500MHz, 10W, 16dB, 28V, Plastic PackageRF Power Transistor, 0.7 to 2.2GHz, 10W, 27dB, 28V, LDMOS, SOT1179-1

数据手册 --

制造商 Ampleon USA Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

引脚数 12 12

封装 VDFN-12 VDFN-12

安装方式 - Surface Mount

频率 2.14 GHz 2.14 GHz

输出功率 10 W 2 W

增益 16 dB 16 dB

测试电流 110 mA 110 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 28 V 28 V

漏源极电压(Vds) - 65 V

封装 VDFN-12 VDFN-12

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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