BSO303SPHXUMA1和BSO303SPNTMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 NDS9953A

描述 DSO P-CH 30V 7.2ADSO P-CH 30V 8.9A双P沟道增强型场效应晶体管 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-DSO-8 P-DSO-8 SOIC-8

额定功率 1.56 W - -

极性 P-CH P-CH P-Channel

耗散功率 2.5 W 2.35W (Ta) 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.2A 8.9A 2.90 A

上升时间 11 ns 12.5 ns 21 ns

输入电容(Ciss) 2330pF @25V(Vds) 1754pF @25V(Vds) 350pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W - 900 mW

下降时间 33 ns 40.3 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 2.35W (Ta) -

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -2.90 A

漏源极电阻 - - 0.2 Ω

漏源击穿电压 - - -30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 PG-DSO-8 P-DSO-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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