IS61WV10248BLL-10MLI和IS62WV10248BLL-55BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61WV10248BLL-10MLI IS62WV10248BLL-55BLI CY62158EV30LL-45BVXI

描述 8Mb, High-Speed, Async, 1Mb x 8, 8ns/3.3V, or 10ns/2.4V-3.6V, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHSSRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 1M x 8 55ns 48Pin Mini-BGACY62158EV30 系列 8 Mb (1024 K x 8) 2.2 - 3.6 V 45 ns 静态RAM - VFBGA-48

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 BGA-48 BGA-36 VFBGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 100 mA 35 mA 25 mA

针脚数 - - 48

位数 8 8 8

存取时间 10 ns 55 ns 45 ns

存取时间(Max) 10 ns 55 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.4V ~ 3.6V 2.5V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V

内存容量 - 8000000 B -

封装 BGA-48 BGA-36 VFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 3A991.b.2.a

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