KSP2907ATF和P2N2907ARL1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP2907ATF P2N2907ARL1 MPS2907ARLG

描述 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 600mA 60V PNP通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 200 MHz - 200 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -600 mA -600 mA -600 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 625 mW 625 mW 0.625 W

增益频宽积 200 MHz - 200 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - - 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

长度 4.7 mm 5.2 mm 5.2 mm

宽度 3.93 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 4.7 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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