BLF278,112和MRF176GV

对比图

型号 BLF278,112 MRF176GV MRF151G

描述 Blf278 - Vhf推挽功率Mos晶体管射频MOSFET线200 / 150W ，为500MHz ， 50V The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com Advanced Semiconductor

分类 晶体管晶体管

引脚数 5 - -

封装 SOT-2621 375-04 -

安装方式 - Flange -

频率 108 MHz 225 MHz -

额定电流 18 A - -

极性 N-Channel - -

阈值电压 4.5 V - -

输出功率 250 W 200 W -

增益 22 dB 17 dB -

测试电流 100 mA 100 mA -

漏源击穿电压 - 125V (min) -

额定电压 - 125 V -

封装 SOT-2621 375-04 -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -