对比图
型号 MRF21010LR1 MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
描述 FET RF 65V 2.17GHz NI-360RF Power Transistor,1600 to 2200MHz, 10W, Typ Gain in dB is 15.5 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1732晶体管, 射频FET, 68 V, 2.2 GHz, 1.6 GHz, TO-270G
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 NI-360 TO-270-2 TO-270-2
频率 2.17 GHz 2.17 GHz 2.17 GHz
额定电压(DC) - 28.0 V 28.0 V
额定电流 - 10 µA 10 µA
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
漏源极电压(Vds) - 68 V 68 V
输出功率 10 W 10 W 10 W
增益 13.5 dB 15.5 dB 15.5 dB
测试电流 100 mA 130 mA 130 mA
输入电容(Ciss) - 0.12pF @28V(Vds) 0.12pF @28V(Vds)
工作温度(Max) - 225 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
额定电压 65 V 68 V 68 V
电源电压 - 28 V 28 V
针脚数 - - 2
封装 NI-360 TO-270-2 TO-270-2
工作温度 - -65℃ ~ 225℃ -65℃ ~ 225℃
重量 - - 548.0 mg
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 EAR99