对比图
型号 IXTP18N60PM TK10E60W
描述 TO-220 隔离的标片Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3Pin(3+Tab) TO-220
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor Toshiba (东芝)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole -
引脚数 3 -
封装 TO-220-3 TO-220
极性 N-CH -
耗散功率 90W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 600 V -
连续漏极电流(Ids) 9A -
上升时间 22 ns -
输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) -
下降时间 22 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 90W (Tc) -
封装 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 End of Life Active
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -