IRF9953TRPBF和SI4943BDY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9953TRPBF SI4943BDY-T1-E3

描述 Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 8Pin SOIC T/R双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.4 mΩ 19 mΩ

极性 Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.30 A -8.40 A

上升时间 14.0 ns 10 ns

反向恢复时间 - 55 ns

正向电压(Max) - 1.2 V

额定功率(Max) 2 W 1.1 W

下降时间 - 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

额定电压(DC) -30.0 V -

额定电流 -2.30 A -

产品系列 IRF9953 -

热阻 62.5℃/W (RθJA) -

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) -

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm -

高度 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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