71V3556S100PFGI8和IDT71V546S100PFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V3556S100PFGI8 IDT71V546S100PFI IDT71V3556S100PFI8

描述 ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20MM, 1.4MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100128K ×36 , 3.3V同步SRAM与ZBT功能,突发计数器和流水线输出 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT Feature, Burst Counter and Pipelined OutputsIC SRAM 4.5Mbit 100MHz 100TQFP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 - -

封装 TQFP-100 LQFP-100 LQFP-100

存取时间 10 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

电源电压(Max) 3.465 V - -

电源电压(Min) 3.135 V - -

长度 20 mm - -

宽度 14 mm - -

高度 1.4 mm - -

封装 TQFP-100 LQFP-100 LQFP-100

厚度 1.40 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 3A991

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