CY62177DV30LL-55BAXI和R1WV6416RBG-5SI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY62177DV30LL-55BAXI R1WV6416RBG-5SI CY7C1071DV33-12BAXIT

描述 32兆位( 2M ×16 )静态RAM 32-Mbit (2M x 16) Static RAMRENESAS  R1WV6416RBG-5SI  芯片, 存储器, SRAM, 64Mb, 3V, 55NS, 48FBGASRAM Chip Async Single 3.3V 32M-Bit 2M x 16 12ns 48Pin FBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Renesas Electronics (瑞萨电子) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 FBGA-48 FBGA FBGA-48

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 2.70V (min) -

针脚数 - 48 -

存取时间 55 ns 55 ns 12 ns

内存容量 4000000 B 8000000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 2.7 V 3 V

位数 - - 16

存取时间(Max) - - 12 ns

供电电流 30 mA - -

封装 FBGA-48 FBGA FBGA-48

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active

包装方式 Tray Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - - 3A991.b.2.b

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