AOK8N80L和AOTF8N80

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOK8N80L AOTF8N80 IXFI7N80P

描述 TO-247 N-CH 800V 7.4A800V,7.4A,N沟道MOSFETTO-263 N-CH 800V 7A

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-262-3

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 245W (Tc) 50 W 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 7.4A 7.4A 7A

输入电容(Ciss) 1650pF @25V(Vds) 1650pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 245W (Tc) 50W (Tc) 200W (Tc)

上升时间 51 ns 51 ns -

额定功率(Max) 245 W 50 W -

下降时间 41 ns 41 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

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