BF423L和BF423,116

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF423L BF423,116 BF423,112

描述 PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistorsSPT PNP 250V 0.05ASPT PNP 250V 0.05A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SPT TO-226-3 TO-92-3

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

集电极最大允许电流 0.05A 0.05A 0.05A

耗散功率 - - 830 mW

增益频宽积 - - 60 MHz

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @25mA, 20V 50 @25mA, 20V

额定功率(Max) - 830 mW 830 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) - 830 mW 830 mW

封装 SPT TO-226-3 TO-92-3

长度 - - 4.8 mm

宽度 - - 4.2 mm

高度 - - 5.2 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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