SI7911DN-T1-GE3和SI7913DN-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7911DN-T1-GE3 SI7913DN-T1-GE3 SI7911DN-T1

描述 MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8Pin PowerPAK 1212 T/RTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 1212-8 1212-8 -

极性 - P-Channel -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

连续漏极电流(Ids) - -7.40 A -

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W -

封装 1212-8 1212-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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