70V659S12DRI和IDT70V3599S133DRI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V659S12DRI IDT70V3599S133DRI 70V7599S166DR

描述 SRAM Chip Async Dual 3.3V 4.5M-Bit 128K x 36 12ns 208Pin PQFP TrayHIGH -SPEED 3.3V 128 / 64K ×36同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 3.3V 128K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 PQFP-208 BFQFP-208 BFQFP-208

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 208 - 208

封装 PQFP-208 BFQFP-208 BFQFP-208

长度 28 mm - 28.0 mm

宽度 28 mm - 28.0 mm

厚度 3.50 mm - 3.50 mm

高度 3.5 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -

电源电压 3.15V ~ 3.45V - 3.15V ~ 3.45V

存取时间 12 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

电源电压(Max) 3.45 V - -

电源电压(Min) 3.15 V - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

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