对比图
型号 IRF9Z34NSTRR IRF9Z34NSTRRPBF IRF9Z34NSPBF
描述 D2PAK P-CH 55V 19AD2PAK P-CH 55V 19AINFINEON IRF9Z34NSPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 19 A, -55 V, 100 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - - 3
极性 P-CH P-Channel P-CH
耗散功率 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8 W 68 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 19A 19A 19A
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
额定功率 - 68 W 68 W
通道数 - 1 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.1 Ω
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 55 V
上升时间 - 55 ns 55 ns
下降时间 - 41 ns 41 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.67 mm
宽度 - 6.22 mm 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17