IS66WVE4M16EBLL-55BLI和IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS66WVE4M16EBLL-55BLI IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR

描述 64m , p Sram, a /p , 4m 16, 55 , Vdd 2.7v3.6v, Vddq 2.7v3.6v, 48B Bga (6 8 ), r Hs64m , p Sram, a /p , 4m 16, 55 , Vdd 2.7v3.6v, Vddq 2.7v3.6v, 48B Bga (6 8 ), r Hs

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 48 48

封装 TFBGA-48 TFBGA-48

位数 16 16

存取时间 55 ns -

存取时间(Max) 55 ns 55 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 TFBGA-48 TFBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99

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