AOT8N80L和IXFI7N80P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOT8N80L IXFI7N80P AOK8N80L

描述 TO-220 N-CH 800V 7.4ATO-263 N-CH 800V 7ATO-247 N-CH 800V 7.4A

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) IXYS Semiconductor Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 245W (Tc) 200W (Tc) 245W (Tc)

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 7.4A 7A 7.4A

输入电容(Ciss) 1650pF @25V(Vds) 1890pF @25V(Vds) 1650pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 245W (Tc) 200W (Tc) 245W (Tc)

额定功率(Max) 245 W - 245 W

上升时间 - - 51 ns

下降时间 - - 41 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

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