对比图
型号 AUIRFR3710Z AUIRFR3710ZTRL IRFR3710ZPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 100V 56AINFINEON IRFR3710ZPBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 18 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 DPAK-252 TO-252-3
额定功率 90 W 140 W 140 W
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 140 W 140 W 140 W
输入电容 - 2930 pF 2930pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 56A 56A 56A
上升时间 43 ns 43 ns 43 ns
输入电容(Ciss) 2930pF @25V(Vds) 2930pF @25V(Vds) 2930pF @25V(Vds)
下降时间 42 ns 42 ns 42 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140000 mW 140W (Tc)
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.015 Ω - 0.018 Ω
阈值电压 2 V - 4 V
漏源击穿电压 - - 100 V
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 DPAK-252 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free PB free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17