FQP6P25和SPP07N60S5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQP6P25 SPP07N60S5 STW25NM60ND

描述 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFETINFINEON  SPP07N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) -250 V 650 V -

额定电流 -6.00 A 7.30 A -

漏源极电阻 1.10 Ω 0.54 Ω 0.13 Ω

极性 P-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 90 W 83 W 160 W

漏源极电压(Vds) 250 V 650 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.30 A 21A

上升时间 75 ns 40 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 780pF @25V(Vds) 970pF @25V(Vds) 2400pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 83 W 160 W

下降时间 50 ns 20 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 83W (Tc) 160W (Tc)

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4.5 V 4 V

输入电容 - - 2400 pF

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 600 V -

长度 10.67 mm 10 mm 15.75 mm

宽度 4.7 mm 4.4 mm 5.15 mm

高度 16.3 mm 15.65 mm 20.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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