IS49NLC36800-33BL和IS49NLC36800-33BLI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS49NLC36800-33BL IS49NLC36800-33BLI MT49H8M36FM-33

描述 DRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGADRAM Chip RLDRAM2 288M-Bit 8M x 36 1.8V/2.5V 144Pin FCBGADRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin UBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 144 144 -

封装 FCBGA-144 FCBGA-144 BGA

位数 36 36 -

存取时间 - 3.3 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

额定电压(DC) - - 1.80 V

工作电压 - - 1.80 V

供电电流 580 mA - -

封装 FCBGA-144 FCBGA-144 BGA

高度 0.8 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 -

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