PEMB10和PEMB11

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMB10 PEMB11 PEMB20,115

描述 Small Signal Bipolar TransistorPNP / PNP电阻配备晶体管; R1 = 10 kΩ的, R2 = 10 kΩ的 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kΩ, R2 = 10 kΩ双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOT-666 SOT-666-6

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @20mA, 5V

额定功率(Max) - - 300 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 300 mW

封装 - SOT-666 SOT-666-6

长度 - - 1.7 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.6 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - 无铅

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