对比图
型号 HBDM60V600W-7 SMBTA06UPNE6327 SMBTA06UPN
描述 HBDM60V600W-7 编带SC-74 NPN+PNP 80V 0.5ANPN / PNP硅晶体管AF阵列的高击穿电压 NPN / PNP Silicon AF Transistor Array High breakdown voltage
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管
封装 SOT-363-6 SC-74 SC-74-6-1
安装方式 Surface Mount - -
引脚数 6 - -
极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极) 65V, 60V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 0.5A/0.6A 0.5A 0.5A
频率 100 MHz 100 MHz -
耗散功率 0.2 W 330 mW -
额定功率 0.2 W - -
增益频宽积 100 MHz - -
最小电流放大倍数(hFE) 50 - -
最大电流放大倍数(hFE) 300 - -
额定功率(Max) 200 mW - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 200 mW - -
封装 SOT-363-6 SC-74 SC-74-6-1
长度 2.2 mm - -
宽度 1.35 mm - -
高度 1 mm - -
产品生命周期 Active End of Life End of Life
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -