1N5539-1TR和JAN1N5539-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5539-1TR JAN1N5539-1 1N5539-1E3

描述 DO-35 19V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDO-35 19V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW - 500 mW

稳压值 19 V - 19 V

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 - - RoHS Compliant

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司