BMS4007和S4007

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BMS4007 S4007

描述 Trans MOSFET N-CH 75V 60A 3Pin(3+Tab) TO-220ML(LS) BagTRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

封装 TO-220-3 -

通道数 1 -

漏源极电阻 6 mΩ -

极性 N-CH -

耗散功率 2 W -

阈值电压 4 V -

漏源极电压(Vds) 75 V -

漏源击穿电压 75 V -

连续漏极电流(Ids) 60A -

输入电容(Ciss) 9700pF @20V(Vds) -

工作温度(Max) 150 ℃ -

耗散功率(Max) 2W (Ta), 30W (Tc) -

封装 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Bulk -

最小包装 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

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