1N647-1和JANTX1N647-1

对比图

型号 1N647-1 JANTX1N647-1 JANTXV1N647

描述 硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes高浪涌电流和峰值脉冲功率为敏感电路的瞬态电压保护 High surge current and peak pulse power provides transient voltage protection for sensitive circuitsSilicon Rectifier Diodes DO-35 Glass Package

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管功率二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-204AH DO-35 -

正向电压 1V @400mA 1V @400mA -

钳位电压 22.6 V - -

测试电流 10 mA - -

正向电流 400 mA 400 mA -

脉冲峰值功率 1500 W - -

击穿电压 13.6 V - -

正向电压(Max) 1V @400mA - -

正向电流(Max) 400 mA 400 mA -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-204AH DO-35 -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -