对比图
型号 HAT2168H-EL-E PSMN6R0-30YL,115 PSMN9R0-30YL,115
描述 硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power SwitchingN沟道,Vdss=30V,Idss=79ATrans MOSFET N-CH 30V 61A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 5 4 5
封装 SOT-669 SOT-669-4 Power-SO8
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 15W (Tc) 55 W 46 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A 79.0 A 61.0 A
上升时间 20 ns - 28 ns
输入电容(Ciss) 1730pF @10V(Vds) 1425pF @12V(Vds) 1006pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 15 W 55 W 46 W
下降时间 4 ns - 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 15W (Tc) 55W (Tc) 46W (Tc)
通道数 - 1 -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 30.0 A - -
输入电容 5.18 nF - -
栅电荷 33.0 nC - -
高度 1 mm - 1.1 mm
封装 SOT-669 SOT-669-4 Power-SO8
宽度 - 4.1 mm -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free